[发明专利]一类具有空穴传输能力的有机半导体材料在审
| 申请号： | 202211719588.7 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116217540A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 高德青 | 申请（专利权）人： | 南京和颂材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C07D333/08 | 分类号： | C07D333/08;H10K85/60;H10K10/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本专利旨在开发一类具有空穴传输能力的有机半导体材料的合成及在有机场效应管中的应用。芘的1，3，6，8位引入系列噻吩单元，构筑四取代芘衍生物；利用芘分子间强π‑π作用及相邻噻吩环上S‑S形成，提高1，3，6，8位噻吩基取代的芘材料的载流子迁移率；通过界面修饰提高半导体的成膜性，促进有机材料在硅片上的生长；制备的有机场效应晶体管空穴载流子迁移率为4×10 |
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| 搜索关键词： | 一类 具有 空穴 传输 能力 有机 半导体材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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