[发明专利]一种沟槽栅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211721026.6 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115939189A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张艳旺;张子敏;钱振华;吴飞 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214026 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，沟槽栅半导体器件包括：第一衬底层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电构件、第二导电构件、源极电极；还包括两个第三掺杂区，形成在所述第一衬底层上且对应位于第二导电构件的下方，所述第三掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型，并且两个所述第三掺杂区内的电荷量之和与位于两者之间的第一衬底层内的电荷量的比值范围为0.9‑1.1。本公开提供的半导体器件改善了电场分布，提升了器件的耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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