[发明专利]一种外延层的薄膜质量检测方法在审
| 申请号： | 202211722213.6 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115938969A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 许晓坤 | 申请（专利权）人： | 江苏天芯微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 214111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种外延层的薄膜质量检测方法，包含以下步骤：S1，提供一处理腔室及衬底；S2，进行外延工艺，在所述衬底上沉积至少两层被测外延层，所述被测外延层包括掺杂剂，不同所述被测外延层之间含有的掺杂剂浓度不同；S3，结束外延工艺，通过测量装置检测所述被测外延层的薄膜质量。本发明的检测方法可以实现同时在单片晶圆上对多个被测外延层开展掺杂剂浓度、生长速率的薄膜质量检测，大大缩短了检测周期，降低了生产成本，提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 薄膜 质量 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
