[实用新型]基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路有效
| 申请号： | 202220191857.6 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN216851279U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 代秋林;张金龙;李光;王铭泽;石宁 | 申请（专利权）人： | 重庆冲程科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24;H02H3/02 |
| 代理公司： | 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙) 50232 | 代理人： | 黎志红 |
| 地址： | 401120 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，涉及迟滞欠压保护技术领域。本实用新型包括电池电源输出VCC、电压上限检测电路、电压下限检测电路、开关控制电路和电源输出使能POWER_EN；电压上限检测电路包括稳压二极管D1和电阻R1，稳压二极管D1与电阻R1串联在电池电源输出和接地端之间；开关控制电路包括NMOS管Q1、Q2，NMOS管Q1的漏极接电源输出使能POWER_EN，栅极接NMOS管Q2的漏极；电压下限检测电路包括串联的电阻R3和R5，NMOS管Q2的栅极取电阻R5上的电压，且NMOS管Q2的栅极接在电阻R3和R5之间。本实用新型通过能够根据不同的场景选择适合的参数从而实现上下限电压可调的低功耗迟滞欠压保护电路，并通过使用压控器件NMOS管，从而降低整个电路的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nmos 功耗 迟滞 保护 电路 | ||
【主权项】：
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