[实用新型]一种BIPV层压减压框有效
申请号: | 202220289612.7 | 申请日: | 2022-02-14 |
公开(公告)号: | CN216773268U | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 杨计蒙;庞利涛;庞亮;王培卿 | 申请(专利权)人: | 无锡嘉盛赋能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 李瑞雨 |
地址: | 214116 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种BIPV层压减压框,包括:若干第一组件,相邻的两个第一组件之间设置有第二组件,第一组件与第二组件通过连接杆连接;第一组件包括方形连接块,方形连接块相邻的两侧面上分别连接有第一套筒,连接杆滑动连接在第一套筒内,第一套筒内设置有第一限位机构;第二组件包括第二套筒,连接杆的一端伸出第一套筒远离第一套筒的一端伸入第二套筒且与第二套筒滑动连接,第二套筒内设置有第二限位机构;连接杆的侧壁上开设有若干限位孔,连接杆的两端通过限位孔分别与第一限位机构和第二限位机构限位连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 bipv 层压 减压 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的