[实用新型]一种简易结构的大电压场效应管驱动电路有效

专利信息
申请号: 202220379385.7 申请日: 2022-02-24
公开(公告)号: CN216794844U 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 秦勋 申请(专利权)人: 航天科工微系统技术有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 成都熠邦鼎立专利代理有限公司 51263 代理人: 车江华
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种简易结构的大电压场效应管驱动电路,包括PMOS管Q1和NPMOS管Q2,所述PMOS管Q1的漏极连接NPMOS管Q2的漏极,PMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端、稳压二级管D1的阴极,稳压二级管D1的阳极连接稳压二级管D2的阴极,稳压二级管D2的阳极连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接地,PMOS管Q1的源极、电阻R1的另一端连接工作电源,稳压二级管D4的阳极接地,稳压二级管D1并联电容C1,稳压二级管D2并联电容C3,NPMOS管Q2的源极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接地;稳压二级管D1的阳极为控制信号的输入端,PMOS管Q1的漏极为负载的连接端。本实用新型既能得到稳定的工作电源,又能有效规避了“对穿”风险,并且不需要增加太多的版图面积和器件成本。
搜索关键词: 一种 简易 结构 电压 场效应 驱动 电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天科工微系统技术有限公司,未经航天科工微系统技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202220379385.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top