[实用新型]低压分离栅沟槽MOS器件的结构有效
| 申请号： | 202220415894.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN216980574U | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 袁秉荣;王海强;陈佳旅;何昌;蒋礼聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低压分离栅沟槽MOS器件的结构，包括衬底、外延层、沟槽以及沟槽内部从下往上依次有屏蔽栅和控制栅，屏蔽栅的外侧依次是侧壁保护层和侧壁场氧层，屏蔽栅的下方是底部场氧层，屏蔽栅和控制栅之间具有隔离介质层，该控制栅的外侧为栅氧层。该屏蔽栅的高度与该侧壁保护层的高度相等，由于在屏蔽栅的外侧设置侧壁保护层和侧壁场氧层，底部和拐角部为底部场氧层，由于设置有侧壁保护层，使得所以底部场氧层的厚度可根据器件的实际需求进行控制和调节，使得器件的电场强度能够优化到最优值，从而可以改善器件的导通电阻，提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 分离 沟槽 mos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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