[实用新型]一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器有效

专利信息
申请号: 202220510872.2 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN218768923U 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 赵章迅;张烽;严勇;潘甲东;陈冬梅 申请(专利权)人: 福建毫米电子有限公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01C1/142
代理公司: 泉州君典专利代理事务所(普通合伙) 35239 代理人: 宋艳梅
地址: 362000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器,包括陶瓷基体、相对设置在陶瓷基体两端的两电极、设置在两电极之间的电阻体、分别设置在两电极外侧的两镍层和分别设置在两镍层外侧的两锡层,电阻体厚度大于电极厚度,电阻体靠近两电极的两端部均设置有延伸部,两延伸部分别延伸至两电极上端,两电极与电阻体先后成型,电极由高钯含量的银钯浆料制成,电阻体由纯银浆料制成。本实用新型的电阻体与两电极分别由不同浆料制成,不再一体成型,能够满足零欧姆片式电阻器抗硫化且低阻抗的要求,且成本低,适合大规模推广应用。
搜索关键词: 一种 硫化 阻抗 欧姆 电阻器
【主权项】:
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