[实用新型]一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片有效
| 申请号： | 202220532836.6 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN217009185U | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张曼;黄浩玮;吴秋果 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构，包括：多个外对准标记槽，设于晶圆表面；以及多个内对准标记槽，设于所述晶圆表面；其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述内对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。通过本实用新型公开的一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 对准 标记 图形 结构 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
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