[实用新型]一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器有效
申请号: | 202220674221.7 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN217158202U | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 张拾;刘昌龙;施超凡;章郑扬;杨程森;李冠海;陈效双 | 申请(专利权)人: | 国科大杭州高等研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/10;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 邓世凤 |
地址: | 310024 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器,其特征在于:自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层,在碲化锑层两端是源、漏金属电极,源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。本实用新型的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器构造出的亚波长金属蝶形天线结构,利用入射的光子耦合到拓扑材料表面,以增强入射的电磁波与碲化锑材料的相互作用,太赫兹波引起的局部表面等离子体场的不对称散射增强探测器的源漏电流,实现了室温高灵敏的太赫兹宽谱光电探测,大幅度提高了器件在太赫兹波段探测能力与信噪比。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 蝶形 天线 结构 拓扑 增强 型碲化锑 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的