[实用新型]一种铝饱和用预沉积筒形硅舟有效
| 申请号： | 202220832791.4 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN217134333U | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄智;张灿阳;季文鹏;刘晓;李娴;汤尧 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/22 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型的名称是一种铝饱和用预沉积筒形硅舟，属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有筒形舟极易出现裂纹、崩边等缺陷而直接导致筒形舟报废的问题。它的主要特征是：包括第一全封闭筒形硅舟、第二全封闭筒形硅舟、硅舟和全封闭筒形硅舟封板，所述第一全封闭筒形硅舟和硅舟分别位于第二全封闭筒形硅舟内的上部和下部，所述第二全封闭筒形硅舟的两端口用全封闭筒形硅舟封板封闭；所述第一全封闭筒形硅舟和第二全封闭筒形硅舟的内表面为非光滑表面。本实用新型具有加工方便、操作简单、筒形硅舟使用寿命有效提升、极大降低晶圆片在工艺过程中溅铝风险的特点，主要用于晶圆片的铝饱和预沉积扩散工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 沉积 筒形硅舟 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
