[实用新型]高亮度发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202220851009.3 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN217522029U | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 曹斌斌;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/14 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高亮度发光二极管芯片，其外延层包括保护层、扩展层、过渡层、第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层，过渡层、第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层的相同一侧形成一粗糙斜面，依次在第二半导体层上生长第一阻挡层、透明导电层以及第二阻挡层，在外延层上刻蚀一N型电极凹槽至第一半导体的表面，在该凹槽上的第一半导体层上以及凹槽侧壁上均生长第二阻挡层。本实用新型提出的高亮度发光二极管芯片，通过形成利于有源区光线出射的粗糙斜面，以提高芯片的外量子效率，同时通过在电极周围上设置第一阻挡层、第二阻挡层以及透明导电层，以减少电极对光线的遮挡和吸收，进而极大地提高发光二极管芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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