[实用新型]等离子刻蚀机台有效
申请号: | 202220924713.7 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN218769402U | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 董韬;昂开渠;阚琎 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 闫学文 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了等离子刻蚀机台,包括:反应腔室,所述反应腔室具有围绕出等离子体生成空间的侧壁以及位于所述侧壁上的顶壁;电极基板,设置在所述反应腔室内且固定在所述反应腔室的顶壁的底面上;至少一个气孔,贯穿所述电极基板,以提供刻蚀气体注入到所述反应腔室内的通道,且各个所述气孔为朝向所述反应腔室的所述侧壁倾斜的斜孔。通过改变反应腔体内注入刻蚀气体的气孔的分布和形状来提高刻蚀速率,将气孔排布在电极基板的边缘处,将气孔设置成斜孔,使得刻蚀气体朝向侧壁注入,并沿侧壁向下流动,加快了等离子体流向晶圆的速度,提高了解离效率,从而提高晶圆的刻蚀速度。 | ||
搜索关键词: | 等离子 刻蚀 机台 | ||
【主权项】:
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