[实用新型]一种低功耗快速晶闸管有效

专利信息
申请号: 202220943524.4 申请日: 2022-04-22
公开(公告)号: CN218730952U 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 张桥;颜家圣;肖彦;刘鹏;黄智;吕晨襄 申请(专利权)人: 湖北台基半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/74;H01L21/332
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 严崇姚
地址: 441021 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型的名称是一种低功耗快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有结构的快速晶闸管存在通态压降VTM高于1.8V以上的问题。它的主要特征是:中心门极所在的P2短基区表面、放大门极各内指条之间的P2短基区表面和放大门极径向外侧的P2短基区表面设有阴极区P+层,分别构成中心门极P+区、放大门极内指条间P+区和短路环区,阴极区P+层的结深6‑20μm;阳极所在的P1阳极区表面设有结深8‑20μm的阳极区P+层;P1阳极区结深40‑100μm,P2短基区结深70‑100μm,阴极区N+结深16‑25μm。本实用新型具有降低高电压晶闸管器件压降、缩短器件关断时间的特点,主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源、高压直流断路器等装置。
搜索关键词: 一种 功耗 快速 晶闸管
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北台基半导体股份有限公司,未经湖北台基半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202220943524.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top