[实用新型]一种GaN基发光二极管结构有效
| 申请号： | 202221026206.8 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN217507377U | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 阚钦 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种GaN基发光二极管结构，该GaN基发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，晶面表面为镓面。本申请中，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于多个所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，由于N电极能够通过通道与n型半导体层接触，增加了N电极的接触面积，且无需减少大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
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