[实用新型]一种降低热应力影响的半导体制冷片有效

专利信息
申请号: 202221093219.7 申请日: 2022-05-09
公开(公告)号: CN217541126U 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 陈天顺 申请(专利权)人: 鹏南科技(厦门)有限公司
主分类号: F25B21/02 分类号: F25B21/02
代理公司: 厦门市宽信知识产权代理有限公司 35246 代理人: 李财龙
地址: 361000 福建省厦门市翔安区厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型涉及半导体制冷片领域,公开了一种降低热应力影响的半导体制冷片,包括第一基板、第二基板、导电线和多个晶粒,第一基板和第二基板相对设置,阵列分布的多个晶粒中,远离导电线的边角上的晶粒为支撑晶粒,其余晶粒为导电晶粒,第一基板和第二基板上均设有与每列导晶粒相对应的导电片,同一列中的晶粒通过导电片相互串联,第一基板和第二基板上设有导电连接片,相邻两列晶粒的两端通过导电连接片相互串联,第一基板和第二基板与支撑晶粒位置相对应处均设有支撑导片,支撑晶粒的两端面与支撑导片相焊接,本实用新型中,边角的支撑晶粒不参与电路连接,避免因为热应力过大而制冷片发生断裂的情况,提高制冷片的使用寿命。
搜索关键词: 一种 降低 应力 影响 半导体 制冷
【主权项】:
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