[实用新型]一种MOS结构的功率晶体管有效
| 申请号： | 202221262645.9 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN217616214U | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张泽华 | 申请（专利权）人： | 深圳市飞兆微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B1/00 | 分类号： | B08B1/00;B08B13/00;H01L23/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强北街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOS结构的功率晶体管，涉及半导体领域。该MOS结构的功率晶体管，包括管体，所述管体的底部固定连接有引脚，所述引脚的表面套接有卡箍，所述卡箍的内壁固定连接有刷毛，所述卡箍的左侧固定连接有组装板，所述组装板的正面开设有与背面相连通的螺纹孔，所述卡箍的数量为三个，三个卡箍之间通过连接杆固定连接，所述卡箍一共有两套，两套卡箍之间搭接形成环形。该MOS结构的功率晶体管，通过卡箍、刷毛和连接杆的相互配合，达到同时可以对于三个引脚表面进行清洁工作，另外还可以避免对于引脚造成损坏，解决了现有的MOS结构的功率晶体管使用一段时间后引脚上会堆积较多灰尘，而引脚上的灰尘在清洁时容易造成引脚断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 结构 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
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