[实用新型]一种耐压高电流晶体管有效
| 申请号： | 202221422070.2 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN217849401U | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 郑石磊;鲁统迎;温智晓;孙宁宁;李建强 | 申请（专利权）人： | 浙江和睿半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/615 | 分类号： | H03K17/615;H03K17/62;H03K17/081 |
| 代理公司： | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人： | 何薇 |
| 地址： | 325600 浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐压高电流晶体管，其技术方案要点是：包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。本实用新型包含八个独立的达林顿管驱动单路。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，可直接与TTL/CMOS电路连接，处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 电流 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江和睿半导体科技有限公司，未经浙江和睿半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221422070.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种切割机用防护装置
- 下一篇：一种双路直流马达驱动电路
