[实用新型]改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器有效
| 申请号： | 202221626205.7 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN217768385U | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 深作克彦;生驹贵英 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与外围逻辑场效应晶体管的栅极边缘区域具有不同结构，使得电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于电荷传输栅极的栅极中心区域的电场强度，以改善像素场效应晶体管的GIDL现象，提高CIS的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 像素 场效应 晶体管 gidl 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思特威（上海）电子科技股份有限公司，未经思特威（上海）电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221626205.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
