[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221763038.0 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN218241856U | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 邱诗航;吴仲强;王唯诚;陈嘉伟;陈建豪;刘冠廷;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括栅极结构。栅极结构包括栅极介电层，n型功函数层埋置于栅极介电层中，介电盖层埋置于n型功函数层中，以及p型功函数层埋置于介电盖层中。栅极结构的上表面露出n型功函数层的上表面、介电盖层的上表面、与p型功函数层的上表面。半导体结构亦包括第一金属盖位于n型功函数层上，以及第二金属盖位于该p型功函数层上。第一金属盖与第二金属盖分开且不形成于介电盖层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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