[实用新型]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET有效
| 申请号： | 202222048995.1 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN218215312U | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，包括碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有沟槽，所述沟槽内设有掩蔽层以及导电区；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层上侧面，且所述夹断区底面连接至所述导电区以及掩蔽层，夹断区内设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层底面连接至所述掩蔽层，所述夹断区上设有源区，所述源区的侧面连接至所述栅极绝缘层的一侧面；栅极，所述栅极设于所述栅极绝缘层内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述夹断区以及源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，提高器件开关速度，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 沟槽 碳化硅 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浏阳泰科天润半导体技术有限公司，未经浏阳泰科天润半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202222048995.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中药饮片的粉状原材料配制装置
- 下一篇：一种用于泥浆搅拌的三级搅拌装置
- 同类专利
- 专利分类
