[实用新型]可控硅半导体器件有效
申请号: | 202222196885.X | 申请日: | 2022-08-21 |
公开(公告)号: | CN218525574U | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 唐兴军;王亚 | 申请(专利权)人: | 苏州兴锝电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/40;H01L23/467;H01L23/04;H01L23/10 |
代理公司: | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人: | 姚昌胜 |
地址: | 215151 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种可控硅半导体器件,包括:壳体、若干根引脚,所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖,与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端,所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装,该散热片的上部开设有一散热孔,所述散热孔内安装有至少两根第一散热杆,所述散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆。本实用新型增大了器件的散热面积,还便于空气快速通过,从而提升了整体的散热效果,有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。 | ||
搜索关键词: | 可控硅 半导体器件 | ||
【主权项】:
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