[实用新型]大功率可控硅封装结构有效
| 申请号： | 202222196913.8 | 申请日： | 2022-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN218525567U | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/00 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，该第一密封圈具有一密封凸环，所述散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，该第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽。本实用新型大功率可控硅封装结构提高了器件的密封性，减少了外界粉尘进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 可控硅 封装 结构 | ||
【主权项】：
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