[实用新型]一种基于NMOS管的防反接电路有效
| 申请号： | 202222217642.X | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN218603181U | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 汪志勇 | 申请（专利权）人： | 文语电子科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H02H7/10 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种基于NMOS管的防反接电路，包括：NMOS管Q1、NPN三极管Q2、PNP三极管Q3、驱动电路和升压电路；NMOS管Q1的源极与电源输入端电连接，其漏极分别与驱动电路的输入端和升压电路的输入端电连接，其栅极与PNP三极管Q3的集电极电连接，驱动电路的输出端和升压电路的输出端分别与负载电连接；NPN三极管Q2的基极与电源输入端电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极接地；PNP三极管Q3的基极与NPN三极管Q2的集电极电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极与驱动输入端电连接，驱动输入端的电压值为升压电路的输出端的电压值。本实用新型利用升压电路输出的高电压驱动NMOS管Q1，NMOS管价格低廉，功耗较低，大大降低了损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 反接 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于文语电子科技（苏州）有限公司，未经文语电子科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202222217642.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低阻力过辊机构
- 下一篇：一种水生植物碳排碳汇量测定自动取样静态培养系统
