[实用新型]一种改善膜厚均匀性的CVD设备有效
申请号: | 202222242897.1 | 申请日: | 2022-08-24 |
公开(公告)号: | CN218580052U | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 程叶;张中玉;杨猛 | 申请(专利权)人: | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;占园 |
地址: | 223865 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种改善膜厚均匀性的CVD设备,包括:外壳、顶盖、加热载台、气柜和通气管道,其中,所述顶盖与外壳铰接,所述加热载台设置在外壳内,所述顶盖与外壳构成反应腔体。所述加热载台包括多个通气区域,所述通气区域中设有多个晶圆载盘,每个所述通气区域分别通过通气管道与气柜连接;所述晶圆载盘包括:真空吸盘和环形分流盘,所述真空吸盘设置在所述环形分流盘的圆环内。通过对不同通气区域的反应气体流量进行调整,以及,环形分流盘在晶圆四周流出反应气体调整晶圆四周反应气体分布,能够有效提高膜厚均匀性,并且不需要针对CVD沉积参数进行调整,不会改变CVD沉积薄膜质量,因此对产品性能无影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 均匀 cvd 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的