[实用新型]功率半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 202222296545.4 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN218482234U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29;H01L23/15;H01L23/367;H01L23/10 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率半导体器件封装结构，其位于MOS芯片上表面的栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，位于陶瓷片下表面的凸起块嵌入金属支撑片的贯通区内；一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上。本实用新型功率半导体器件封装结构既提高了源极引脚与MOS芯片电接触的稳定性，也有利于将来自MOS芯片的热量从源极引脚直接传导到外界，改善了功率半导体器件的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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