[实用新型]功率MOS器件封装结构有效
| 申请号： | 202222296643.8 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN218482233U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/29;H01L23/13;H01L23/31;H01L23/15;H01L23/10;H01L23/367 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率MOS器件封装结构，其一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，位于陶瓷片下表面的凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平，金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点。本实用新型功率MOS器件封装结构提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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