[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202222326664.X | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN218089894U | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 罗振姣;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括加热容器、加热装置和金属网。加热容器内部设有容置空间，容置空间底部用于装盛碳化硅原料，容置空间顶部设有籽晶。加热装置围绕加热容器设置，加热装置用于加热加热容器。金属网设于容置空间内部，且金属网用于设于容置空间内部碳化硅原料的上方。金属网上与籽晶粘接部对应的位置设有盛放部，盛放部用于铺设碳化硅晶块料。本实用新型中提供的碳化硅单晶生长装置可以改善现有技术中碳化硅晶体生长初期凸出率较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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