[实用新型]一种基于MOS管的过压保护电路有效
| 申请号： | 202222455165.0 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN218449461U | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘川涛 | 申请（专利权）人： | 东莞汇钧科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H3/04;H02H11/00 |
| 代理公司： | 东莞市浩宇专利代理事务所(普通合伙) 44460 | 代理人： | 许王军 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种基于MOS管的过压保护电路，涉及过压保护领域，一种基于MOS管的过压保护电路，包括二极管D10、电阻R130、二极管D11、电阻R131、电阻R132、三极管Q1、电阻R133、三极管Q2、电阻R129、发光二极管、电容C114，本实用新型二极管D10可防止反接，本实用新型当电源不超过25V时，三极管Q2的发射机与基极电压相同，此时三极管Q1处于导通状态，这时电源输入正常供电，发光二极管常亮；当输入电源超过25V时，由于二极管D11起到稳压作用，导致三极管Q2发射极电压大于基极电压，三极管Q2导通，三极管Q1处于关闭状态，这时电源输入异常，发光二极管熄灭，由于Q2和Q1的快速响应，可以及时保护二极管D11，以及关闭24V，保护板卡不至于烧坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
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