[实用新型]插指栅结构的HEMT射频器件有效
| 申请号： | 202222732703.6 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN218414587U | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李利哲;李增林;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种插指栅结构的HEMT射频器件。所述插指栅结构的HEMT射频器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极、栅极和场板结构，所述外延结构内形成有载流子沟道，所述外延结构与栅极对应的区域还设置有栅极凹槽，至少所述栅极的部分设置在所述栅极凹槽内，所述场板结构的第一端与源极电连接，第二端沿第一方向跨过栅极并延伸至栅极与漏极之间，所述栅极凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述栅极的部分设置在所述第一凹槽和第二凹槽内。本实用新型提供的插指栅结构的HEMT射频器件，在保持栅极凹槽大小不变的情况下，通过在第一凹槽的底部形成延伸的第二凹槽，通过增大栅极控制的接触面积来提高耐压性能，减少了崩压现象。 | ||
| 搜索关键词： | 插指栅 结构 hemt 射频 器件 | ||
【主权项】：
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