[实用新型]抗刻蚀密封圈有效
| 申请号： | 202222771884.3 | 申请日： | 2022-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN218543156U | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗祐;张誉泷 | 申请（专利权）人： | 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | F16J15/00 | 分类号： | F16J15/00 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。其中，一种抗刻蚀密封圈，包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。本实用新型提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆密封圈基材上增加抗刻蚀膜层，使得抗刻蚀密封圈在获得优秀的物理强度的同时，具备抗刻蚀能力。同时，通过调整抗刻蚀膜层的类型，使抗刻蚀密封圈获得抗氧或导电能力，进一步提高抗刻蚀密封圈的应用环境，增强了适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 密封圈 | ||
【主权项】：
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