[实用新型]单向高电压穿通瞬态电压抑制器件有效
| 申请号： | 202222782041.3 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN219303673U | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍里斯·罗森萨夫特;周继峰;乌利齐·凯伯劳 | 申请（专利权）人： | 力特半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 214142 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单向高电压穿通瞬态电压抑制器件。该单向高电压穿通瞬态电压抑制器件可以包括被形成在基板的第一主表面的第一部分上的第一层(包括N+材料)和由N‑材料形成的第二层。第二层可以从第一主表面的围绕第一层的第二部分延伸，并且可以延伸到第一层下方。单向高电压穿通瞬态电压抑制器件可以包括第三层，其包括P+材料，其中，第二层被设置在第一层和第三层之间。单向高电压穿通瞬态电压抑制器件还可以包括隔离区，其从第一主表面延伸，并且围绕第二层设置。 | ||
| 搜索关键词： | 单向 电压 瞬态 抑制 器件 | ||
【主权项】：
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