[实用新型]一种门极换流晶闸管GCT器件结构有效
| 申请号： | 202222845340.7 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN218730959U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张磊;王峰瀛;范晓波;纪卫峰;张歧宁;杨俊艳;张刚琦 | 申请（专利权）人： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 彭冬英 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 换流 晶闸管 gct 器件 结构 | ||
【主权项】：
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