[实用新型]一种多量子阱结构有效
申请号: | 202222868658.7 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN218677183U | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 闫其昂;王国斌 | 申请(专利权)人: | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种多量子阱结构。所述结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层,所述多量子阱结构还包括设置在量子垒层中的第一应力调制层和量子阱层中的第二应力调制层中的至少一个,所述第一和第二应力调制层的晶格常数介于量子阱与量子垒层之间,用以降低多量子阱结构的内部应力。本实用新型降低多量子阱结构的内部应力,提高载流子的复合效率,降低了辐射复合效率下降和波长漂移现象;而且由于降低了氮化物发光层的应力,提高了氮化物发光层中的组分和厚度的均匀性,可适用于长波外延工艺结构,扩大了氮化物发光层外延生长工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 一种 多量 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏第三代半导体研究院有限公司,未经江苏第三代半导体研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202222868658.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可快速更换的阀板结构及分料器
- 下一篇:一种可变预紧力轴承