[实用新型]一种可调节热场的八英寸PVT生长炉有效
| 申请号： | 202222917890.5 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN218175203U | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 许彬杰;韩学峰;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，包括保温层、坩埚、侧边加热器、碳化硅粉源区与八英寸碳化硅籽晶，坩埚的顶部设有可分离的顶部加热器，所述顶部加热器从里至外分成四层，每一层包括N个加热器，N为偶数且大于等于4，同一层上的加热器大小相同。本实用新型利用电动传控装置，移动单晶生长装置顶端的可分离，可移动的石墨加热器，在单晶生长的过程中，将石墨加热器移动至最佳位置，优化碳化硅单晶生长过程中的热场，使得在整个生长过程中，随碳化硅单晶逐渐变厚，始终能处于最优的热场中，在实现轴向温度和径向温度分离控制的基础上，仍可以在碳化硅单晶生长的过程中随时调节顶部加热器的结构，在生长过程中优化热场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 英寸 pvt 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学杭州国际科创中心，未经浙江大学杭州国际科创中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202222917890.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于自动驾驶车辆的多模态信息融合框架
- 下一篇：一种水下自释放浮标装置
