[实用新型]基于X波段的低驱动电压的串联接触式射频MEMS开关有效
| 申请号： | 202223039721.2 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN219046262U | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 宋戈;冯辉;李明月;陈达;刘一剑 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | H01H1/06 | 分类号： | H01H1/06;H01H9/02;H01P1/10;B81B7/02 |
| 代理公司： | 青岛锦佳专利代理事务所(普通合伙) 37283 | 代理人： | 朱玉建 |
| 地址： | 266590 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于射频MEMS开关技术领域，公开了一种基于X波段的低驱动电压的串联接触式射频MEMS开关。其中，为了解决高驱动电压与可靠性之间的矛盾，本实用新型设计了一种具有五段式弹簧弯曲结构的可移动电极，其等效弹簧系数较小，该可移动电极在保证射频性能的情况下有效地减小了驱动电压。此外，为了抑制趋肤效应影响，本实用新型优化了可移动电极的中心梁结构，在中心梁上增加了触点且合理设计了内外触点的宽度，在提升S参数性能的同时在一定程度上抑制了趋肤效应。由于本实用新型射频MEMS开关是基于微带线结构的射频MEMS开关，因此与共面波导结构相比，易于集成，且制造过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波段 驱动 电压 串联 接触 射频 mems 开关 | ||
【主权项】：
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