[实用新型]半导体器件和电子器件有效
| 申请号： | 202223142008.0 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN219180514U | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | V·普利西;G·贝洛基;S·拉斯库纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件和电子器件。一种半导体器件，包括：碳化硅半导体本体，包括表面；所述半导体本体的所述表面上的绝缘结构；所述绝缘结构上的界面层；所述界面层上的钝化层，所述钝化层具有锚固元件，所述锚固元件包括：突出部，从所述钝化层开始完全延伸通过所述界面层并且至少部分地通过所述绝缘结构，所述突出部在到达所述半导体本体的所述表面之前终止于所述绝缘结构内、并且具有带有所述钝化层的单片本体。利用本公开的实施例有利地允许确保电子器件的高电性能，并且同时消除与钝化层的可能分离相关的结构问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子器件 | ||
【主权项】：
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