[实用新型]高密度沟槽栅IGBT器件有效
| 申请号： | 202223402325.1 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN218887194U | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区设置第一沟槽，所述栅极PAD区设置第二沟槽，第一沟槽的长度方向与第二沟槽的长度方向相垂直，第二沟槽的宽度大于或等于第一沟槽的宽度。本实用新型的高密度沟槽栅IGBT器件，通过在器件上发射极PAD区之外的其他部位适当的增加垂直于管芯区域方向的沟槽，不同方向的应力之间难以叠加作用在晶圆上，可以减小生产过程中的翘曲程度。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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