[实用新型]一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关有效
| 申请号： | 202223503843.2 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN219124189U | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赵莉;杨燕 | 申请（专利权）人： | 成都晶立电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/62 | 分类号： | H03K17/62 |
| 代理公司： | 成都正德明志知识产权代理有限公司 51360 | 代理人： | 陈瑶 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，包括：盒体、射频板、控制板、对外射频接口和射频输入接口；射频板和控制板配置于所述盒体内部，射频板分别与控制板、对外射频接口和所述射频输入接口通信连接，对外射频接口分布于所述盒体外部上方，射频输入接口配置于盒体外部正下方，本实用新型设计解决了现有开关损耗高、隔离性度低和一致性辐相低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 隔离 相一致 单刀 吸收 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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