[实用新型]一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构有效
| 申请号： | 202223571854.4 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN219267406U | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 周保平;刘博文;李鑫;林云;周维娜 | 申请（专利权）人： | 包头市英思特稀磁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 刘迪 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，涉及海尔贝克磁铁阵列技术领域，所述Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，第一磁体的充磁方向为水平向左，第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体，第一左单磁体和第一右单磁体的充磁方向轴对称，第二磁体的充磁方向为水平向右，第二磁组包括充磁方向向上倾斜设置的第二左单磁体和第二右单磁体，第二左单磁体和第二右单磁体的充磁方向轴对称；本实用新型为直线型海尔贝克磁铁阵列，可在不更换牌号，不加大磁体总体积的前提下，实现磁铁阵列表面磁通密度的显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 halbach 组件 提升 表面 密度 排列 结构 | ||
【主权项】：
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