[发明专利]通电检查装置、半导体装置的制造方法以及通电方法在审
| 申请号： | 202280007936.X | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116583956A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 佐川雅一;小西久美子;三木浩史;毛利友纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;文志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通电检查装置(200)具备冷却板(21)、设置在冷却板(21)上的绝缘板(22)、设置在绝缘板(22)上的测定用电极(24)、以及设置在测定用电极(24)的上方且位于离开了测定用电极(24)的位置的测定用电极(26)和测定用电极(27)。绝缘板(22)具有可变热阻机构。能够在测定用电极(24)与测定用电极(26)之间、以及在测定用电极(24)与测定用电极(27)之间设置半导体装置(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 检查 装置 半导体 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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