[发明专利]一种薄膜加工方法、装置和系统在审
| 申请号： | 202310004263.9 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN115985765A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 林宛青;张春雷;赵怡君;卢康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜加工方法、装置和系统。其中，薄膜加工方法：提供薄膜加工装置，所述薄膜加工装置包括低压退火腔室、照射装置、承载面；所述照射装置包括设置于所述低压退火腔室的顶部的紫外线灯泡和加热灯泡；所述承载面设置于所述低压退火腔室的底部；在所述低压退火腔室内的所述承载面上放置待加工晶圆，通过所述照射装置对所述待加工晶圆进行薄膜加工工艺；所述薄膜加工工艺包括固化和原位退火。该方法，能够减少薄膜加工的制程耗时，提升晶圆的薄膜加工的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 加工 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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