[发明专利]3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器在审
| 申请号： | 202310004731.2 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116313836A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩玉鹏;刘海峰;王磊;要志宏;戴剑;刘乐乐;梁家铖;高显;苏辰飞;武世英;申靖轩;程泽普;王杰;杨宇峰;王树朋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/552;H01L25/18;H03H1/00;H03H11/24 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器。该制备方法包括：获取第一IC芯片，第一IC芯片为III‑V族化合物半导体芯片；在第一IC芯片的下表面上的第一预设位置制备第一金属屏蔽层；获取第二IC芯片，第二IC芯片为Si基互补金属氧化物半导体芯片；在第二IC芯片的下表面上的第二预设位置制备第二金属屏蔽层；将第二IC芯片的下表面与第一IC芯片的上表面连接，获得3D异构芯片；其中，在将第二IC芯片的下表面与第一IC芯片的上表面连接时，第一预设位置与第二预设位置上下对应。本发明能够有效提高3D异构芯片的片上空间隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 方法 衰减器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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