[发明专利]退火去除硅缺陷的新方法在审
| 申请号： | 202310009343.3 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116387240A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | A·阿里;C·S·怀特塞尔;P·马哈林根;U·阿格拉姆;E·D·皮兰特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种退火去除硅缺陷的新方法。一种形成集成电路的方法600包括在初始温度下将半导体衬底放置610在工艺室中，其中一个或多个沟槽位于半导体衬底内。在基本上无氧的环境中将衬底的温度提高620到氧化物生长温度。然后在提供氧化环境的同时将温度保持630在氧化物生长温度，从而在沟槽的侧壁上形成氧化层。然后，将半导体晶片的温度降低640至低于初始温度的最终温度，并从工艺室移除650。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 去除 缺陷 新方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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