[发明专利]一种半导体器件的制造方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202310010351.X | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116130346A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张磊;柴亚玲;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 强珍妮 |
| 地址： | 410221 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，方法包括提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构；在半导体外延结构上形成掩膜层和隔离层；对隔离层和掩膜层进行光罩刻蚀，以形成开口，露出p型掺杂区域；在残留的隔离层和露出的p型掺杂区域上，形成欧姆金属层；执行高温回火处理，以使与p型掺杂区域接触的欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层；去除残留的隔离层上的欧姆金属层的其它部分，和残留的隔离层以及掩膜层。本申请在欧姆金属层和掩膜层之间增加隔离层，再通过一步高温回火的方式形成欧姆接触，该工艺能够保证高温回火形成欧姆接触时含有铝组分，同时抑制金属穿刺掩膜层，确保形成低接触电阻和高可靠性的P型欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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