[发明专利]晶圆反应装置及具有其的半导体制造设备有效
| 申请号： | 202310010717.3 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115763324B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 无锡先为科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆反应装置及具有其的半导体制造设备，该晶圆反应装置包括：反应器，其包括盖体、基座、位于盖体和基座之间的反应腔、排气通道、排气口以及限流组件，排气通道连通反应腔和排气口，反应腔中的气体可通过排气通道及排气口排出反应器，限流组件设置于排气通道内。排气通道至少包括第一排气段及第二排气段，第二排气段连通第一排气段和反应腔，并至少包括一个过渡段，该过渡段包括位于其上游端的进气截面和位于其下游端的排气截面；限流组件设于排气截面的下游，并与排气截面间的距离不小于所述第二排气段的最小通道宽度，如此设置，该排气通道能将因过渡段对气流方向改变后产生的涡流限制在排气通道的过渡段下游。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 装置 具有 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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