[发明专利]一种晶圆激光切割方法及晶圆有效
| 申请号： | 202310011046.2 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115890021B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 唐义洲 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/268;H01L21/78 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆激光切割方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括：对载片和/或晶圆进行热氧生长；对载片进行划片开槽处理；对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；对键合片进行背面开槽处理；对键合片进行解键合处理；对晶圆进行正面激光划片处理。本发明在晶圆、载片键合处理前对载片进行开槽处理，保证后续键合退火过程中，水分子能充分溢出，确保键合质量；同时，还对键合片进行退火处理，消除了内应力影响，配合高强度键合片，能够保证后续制程的稳定性，避免了晶圆裂片风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都功成半导体有限公司，未经成都功成半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310011046.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
