[发明专利]一种金属电阻探测器及其加工方法在审
| 申请号： | 202310012288.3 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116027378A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 高金明;才来中;范冬梅;何宗钰慧 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | G01T1/26 | 分类号： | G01T1/26 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及核聚变等离子体测量技术领域，公开了一种金属电阻探测器及其加工方法。其中，金属电阻探测器硅片；在硅片的垂直于厚度方向的一面上通过等离子体增强化学的气相沉积法蒸镀有一层氮化硅薄膜；在硅片上通过聚焦离子束技术蚀刻有多个沿厚度方向贯穿所述硅片的通孔，通孔的一端与所述氮化硅薄膜连接；在每一个通孔区域内的靠近硅片一侧的氮化硅薄膜上通过磁控溅射技术蒸镀有一层金属薄膜；在每一个通孔区域内的远离硅片一侧的氮化硅薄膜上通过光刻技术蚀刻有多条金属电阻丝。本发明可解决由现有技术加工得到的金属电阻器存在基板与金属薄膜之间易脱落且容易引入测量误差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 电阻 探测器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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