[发明专利]压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 202310018338.9 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116026501B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘国鑫;陈涛;印青;张光华 | 申请（专利权）人： | 苏州锐光科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81C1/00;B81B7/02;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/50;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/24;B05D1/00 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 徐民奎 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS压力传感器及其制作方法技术领域。在单晶硅或者绝缘体上硅衬底的背面设有结构相同平行排布的第一腔体和第二腔体；四个压敏电阻为轻掺压敏电阻，构成惠斯通电桥，压敏电阻形制和阻值相同；第一压敏电阻和第二压敏电阻串联形成第一串联电路，位于第一腔体之上，第一压敏电阻位于第一腔体中心，第二压敏电阻位于第一腔体一侧；第三压敏电阻和第四压敏电阻串联形成第二串联电路，位于第二腔体之上，第三压敏电阻位于第二腔体中心，第四压敏电阻位于与第一腔体同一侧的第二腔体一侧；第二压敏电阻距第一压敏电阻的距离与第四压敏电阻距第三压敏电阻的距离保持一致。该传感器机械稳定性提高，线性度好和精度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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