[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310022173.2 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116190310A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 叶长福 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 汤金燕 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面包括向内凹陷的接触孔，所述接触孔内形成有连结电路，所述连结电路与所述接触孔的侧壁之间具有间隙，所述连结电路包含有金属/金属氮化物/掺杂多晶硅；对所述接触孔进行至少一次氧化处理，以使所述接触孔表面的硅以及所述连结电路侧壁的硅形成硅氧化物；形成保形覆盖所述连结电路、所述接触孔和所述衬底表面的隔离层。本申请能够降低残留的硅化物对相应半导体器件性能的影响，优化所得半导体器件的性能，提高所得半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
